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Si5499DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
V GS = 5 thru 2.5 V
10
20
15
2V
8
6
10
5
1.5 V
4
2
T C = 125 °C
25 °C
0
1V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.10
0.09
0.08
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 1.5 V
2000
1600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.07
V GS = 1.8 V
1200
C iss
0.06
0.05
0.04
V GS = 2.5 V
800
C oss
0.03
0.02
V GS = 4.5 V
400
0
C rss
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 6 A
7
6
1.4
1.3
1.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 5.1 A
5
V DS = 4 V
1.1
V GS = 4.5 V
4
3
V DS = 5.6 V
1.0
0.9
2
1
0
0.8
0.7
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73321
S-83054-Rev. C, 29-Dec-08
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